gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

日本電裝開發(fā)出GaN 三電平汽車電驅(qū)方案

據(jù)日媒報(bào)道，名古屋大學(xué)和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅(qū)動(dòng)使用的電動(dòng)汽車牽引電機(jī)（圖 1）。據(jù)了解，名古屋大學(xué)與松下控股、豐田合成、大阪大學(xué)和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來(lái)實(shí)施的項(xiàng)目“加速實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會(huì)實(shí)施和傳播項(xiàng)目”。新開發(fā)的高壓三電平逆變器是該項(xiàng)目努力的結(jié)果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅(qū)逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器運(yùn)行時(shí)的開關(guān)波形（右）。提高電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（
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復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國(guó)內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jī)的日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱“ATX”）。
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技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān)校對(duì)宋清亮英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)高級(jí)首席工程師過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長(zhǎng) [1] 。圖1：1910年以來(lái)
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春晚科技「秧」光：人形機(jī)器人未來(lái)已來(lái)

在科技浪潮的推動(dòng)下，人形機(jī)器人正逐漸從幕后走向臺(tái)前。在 2025 央視春晚中，著名電影導(dǎo)演張藝謀攜手杭州宇樹科技、新疆藝術(shù)學(xué)院帶來(lái)了一個(gè)名為《秧 BOT》的節(jié)目。舞臺(tái)上，宇樹科技的人形機(jī)器人與新疆藝術(shù)學(xué)院的舞蹈演員們默契共舞，人機(jī)互動(dòng)的奇妙場(chǎng)景，不僅帶來(lái)了一場(chǎng)別開生面的視覺盛宴，展現(xiàn)出一種前所未有的科技美感，更讓觀眾真切感受到人形機(jī)器人時(shí)代的腳步正越來(lái)越近。這群 BOT 什么來(lái)頭？春晚舞臺(tái)上的《秧 BOT》節(jié)目，由 16 個(gè)靈動(dòng)的 BOT（機(jī)器人 robot 的簡(jiǎn)稱）與 16 名技藝精湛的新疆藝術(shù)學(xué)院舞蹈
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日常生活中的工業(yè)技術(shù)：助力智能生活的幕后力量

大多數(shù)人在想象工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)時(shí)，想到的是大型的機(jī)械和復(fù)雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無(wú)關(guān)聯(lián)。然而通過實(shí)時(shí)控制，系統(tǒng)可以在規(guī)定的時(shí)間范圍內(nèi)收集、處理數(shù)據(jù)并自行更新。智能感應(yīng)可以檢測(cè)人員和機(jī)械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術(shù)涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們?cè)缟掀鸫驳酵砩纤X休息的這段時(shí)間里，在幕后悄悄地執(zhí)行著各種各樣的任務(wù)，讓我們的世界正常運(yùn)轉(zhuǎn)。對(duì)我們的日常生活來(lái)說，在工業(yè)應(yīng)用中使用的技術(shù)與智能手機(jī)一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児?jié)省了時(shí)間，增加了便利性；保護(hù)我
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國(guó)產(chǎn)1700V GaN器件進(jìn)一步打開應(yīng)用端市場(chǎng)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對(duì)工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測(cè)試采用遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應(yīng)對(duì)1000V輸入電壓下的開關(guān)測(cè)試需求，在靜態(tài)測(cè)試條件下，1700V時(shí)測(cè)得
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PMOS緩啟電路

本文來(lái)源于一個(gè)實(shí)際項(xiàng)目，需要由一個(gè)PMOS作為開關(guān)來(lái)控制電源的導(dǎo)通。但對(duì)實(shí)際參數(shù)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，發(fā)現(xiàn)PMOS導(dǎo)通時(shí)間太短，使得后級(jí)電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對(duì)如何延緩PMOS啟動(dòng)速度進(jìn)行簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)與概述性介紹。1 米勒平臺(tái)上圖所示為PMOS的等效模型，其柵極、源極與漏極相互之間都存在寄生電容，分別為CGD，CGS，CDS。MOS管的開啟時(shí)序如下圖所示：開啟過程如下：（1）T0-T1階段，G端輸出電平，CGS開始從0充電直至VGS(th)，漏極源極之間的電壓UDS與電路IDS保持不變，MO
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邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長(zhǎng)[1]。圖1 1910年以來(lái)全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的37 千兆噸。為應(yīng)對(duì)這一問題，
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深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對(duì)他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！

文章概述本文介紹了寬帶隙（ GaN ）技術(shù)在高壓 LED照明中的應(yīng)用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點(diǎn)討論了利用GaN技術(shù)的LED驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅(qū)動(dòng)器與高電壓GaN晶體管結(jié)合，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提高了功率密度。事實(shí)證明，高壓LED照明可以有效地取代高強(qiáng)度放電 (HID
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“LiDAR激光雷達(dá)”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來(lái)安全精準(zhǔn)

1? ?LiDAR（3D感測(cè)和距離感測(cè)）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續(xù)擴(kuò)大，但同時(shí)也面臨著嚴(yán)重的勞動(dòng)力短缺問題。越來(lái)越多的業(yè)內(nèi)企業(yè)開始考慮引進(jìn)智慧物流系統(tǒng)，利用AGV（無(wú)人搬運(yùn)車）和AMR（自主移動(dòng)機(jī)器人）等執(zhí)行工作。然而，也有很多企業(yè)擔(dān)心安全性和系統(tǒng)管理等方面的問題。實(shí)際上，ISO 對(duì)功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測(cè)技術(shù)和模塊已經(jīng)逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構(gòu)建更安全、更安心的智慧物流系統(tǒng)，并且能夠更精準(zhǔn)地感測(cè)更遠(yuǎn)的距離、不易受到陽(yáng)光干擾的激光雷達(dá)LiD
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器

Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進(jìn)一步壯大其不斷擴(kuò)展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設(shè)備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。?NEX806xx/NEX808xx是準(zhǔn)諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應(yīng)同步整流控制器。這些IC可與N
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如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應(yīng)用方面優(yōu)勢(shì)突出，近年來(lái)在新能源汽車、可再生能源等功率電子領(lǐng)域風(fēng)頭無(wú)兩；而GaN則憑借出色的擊穿場(chǎng)強(qiáng)特性和電子飽和速度，提供出色的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)（高頻率工作）性能，在
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍

新聞亮點(diǎn)：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個(gè)工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市?！? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品?！? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點(diǎn)項(xiàng)目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，
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